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金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“存储器及其制造方法”的专利，公开号 CN 118946159 A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本发明提供了一种存储器及其制造方法。本发明于后道制程中，存储单元的底电极直接使用形成第一接触结构所沉积并平坦化后留下的金属层，不仅可以简化工艺流程，且可以改善接触结构接缝对于良率的影响，且可以增加存储单元密度并降低存储单元间漏电风险。进一步的，存储单元的底电极与第一接触结构的材料均为金属钨，可以提高极化电荷量，优化提升器件运行效率及可靠性；同时，在存储单元刻蚀工艺时，金属钨的刻蚀选择比大于氮化钛的刻蚀选择比，因而具有更大的工艺窗口。