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金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，上海新微技术研发中心有限公司申请一项名为“一种T型通孔结构及其制造方法”的专利，公开号CN 118943081 A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种T型通孔结构及其制造方法，包括步骤一：在基板的第一表面上刻蚀形成沟槽，所述沟槽的底部停止于所述基板内；步骤二：在所述沟槽的底部和侧壁表面形成阻挡层；步骤三：刻蚀去除位于所述沟槽底部的部分阻挡层，以暴露所述沟槽底部的一部分；步骤四：沿着所述沟槽底部暴露的一部分进行二次刻蚀，直至所述基板的第二表面，去除其余阻挡层，形成T型通孔结构。通过上述方式，本发明采用单面刻蚀工艺使用一层掩膜达到了双面刻蚀工艺使用两层掩膜相同的技术效果，优化了工艺流程。